歐力克斯關於(yú)芯片晶圓與underfill工藝的準備
歐力(lì)克斯關於芯片晶圓(yuán)與underfill工(gōng)藝的準備
芯片製作完(wán)整過程包括芯片設計(jì)、晶片製作、封裝(zhuāng)製作、測試等幾個環節。底部填充是對倒裝芯片下部的填充保護。灌封保護倒裝芯片不受外界損壞(保持芯片與外界環境的隔離)。密封倒裝芯片底(dǐ)部芯片。將倒裝芯片固定在PCB或基板上。實現機械定位。
目前,非接觸噴射點膠(jiāo)技術是在電路板上對芯片級封裝 (CSP)、球柵陣(zhèn)列(liè) (BGA) 和層疊封(fēng)裝 (POP) 進行底部填充的最(zuì)佳方法。目前使(shǐ)用的底部填充係統可分為三(sān)類(lèi):毛細管底部填充、助焊(非流動)型底部(bù)填充和四角或角-點底部填充(chōng)係統。
1.1 芯片的分類
1.1.1 芯片分類
1.1.1.1 按照國際標(biāo)準分類方式看,在國際半導體的統計中,半導體產業隻分(fèn)成四種類型:集成電路,分(fèn)立器件,傳感器和光電子。所有的國際半導體貿(mào)易中都是分成這四類(lèi)。以上(shàng)4大類統稱為半導(dǎo)體元(yuán)件。其中集成電路(Integrated Circuit, 簡稱IC),又叫做芯片(chip),所以說集成電路(lù),IC,芯片,chip這(zhè)四個名字都是指一個東西(xī)。
1.1.1.2 按照不同的處(chù)理信號或者使用功能(néng)來分類,所有的集成電路可以分為模擬芯片和數字芯片兩(liǎng)種。常見如GPU,CPU,FPGA,DSP,ASIC,SOC等。基本的模擬(nǐ)集成電路有運算放大器、乘法器、集成(chéng)穩壓器、定時器(qì)、信號發生器等(děng)。數字集成電(diàn)路品種(zhǒng)很多,小規模集成電(diàn)路有多(duō)種門電路,即與非門、非門、或門等;中規模集成電(diàn)路有數據選擇(zé)器、編碼譯(yì)碼(mǎ)器、觸發器、計數器、寄存(cún)器(qì)等。大規模或超大規模集成電路有PLD(可編(biān)程邏輯器(qì)件)和ASIC(專用集成(chéng)電路)。
1.1.1.3 按照不同應用場景來分類,可以分為4類,民用級(消費級),工業級,汽車(chē)級,軍工級(還有人(rén)把航天級芯片當作第5類)。
1.1.1.4 還有按照製造工藝來分,可(kě)分為(wéi)半導(dǎo)體集成電路和薄(báo)膜集成電路。 膜集成電路又分類厚(hòu)膜集成電路和薄膜集成電(diàn)路。如(rú)7nm芯片,10nm芯(xīn)片(piàn)等。
1.1.1.5 按集成度高低分(fèn)類 :集成電路按規模大小分為小規模集成電路(SSI)、中規模集成電路(MSI)、大規模集成電(diàn)路(LSI)、超大規模集成電路(VLSI)、特大規模集成電路(ULSI)。
1.1.1.6 按導(dǎo)電(diàn)類型不同分類:集成電路按導電(diàn)類型可分為雙極型(xíng)集成電路和單極型集(jí)成電路。雙(shuāng)極型(xíng)集(jí)成電路的(de)製(zhì)作工藝複雜,功耗較大,代表集成電(diàn)路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等(děng)類型。單極型集成電路的製(zhì)作(zuò)工藝簡單,功耗也較低,易於製成大規模集成電路,代表集成電(diàn)路有CMOS、NMOS、PMOS等類(lèi)型(xíng)。
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